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中心成立宗旨

目前消費性通訊電子產品已經朝向輕薄短小、可攜帶、可穿戴(彎曲),甚至具有透明時尚的功能。這些功能的實現,還必須搭配強大與快速的傳輸(收發)能力,才能將產品做到省時又省電的可望目標。為了高頻(4G、5G…)的需求,軟性電路板的樹脂低介電常數(低寄生電容效應)會是重點之一;搭配軟性低介電常數樹脂之表面無粗糙度金屬化製程技術(低肌膚效應)亦是重點之一。
伴隨科技發展,積體電路體積日趨縮小,傳輸量則是日益上升,因此對於印刷電路板材料而言,訊號傳輸速率(Vp)及訊號傳輸損失(L)成為指標性數值。而由文獻可知,訊號傳輸速率(Vp)將與材料介電常數(Dk)之平方根成反比,且訊號傳輸損失(L),則正比於介電常數(Dk)的平方根並正比於耗散因子(Df),由此可知,降低材料之介電常數(Dk)與耗散因子(Df)將可提升訊號傳輸品質,達到高頻通訊之需求。
在軟性印刷電路板材料中,聚醯亞胺(PI)為常用的基材之一,因此,藉由分子設計開發具低介電性質PI基材是研究的重點項目之一,然而,為達高頻、高階電子產品之訊號傳輸需求,後續軟板製備亦有相當大的關聯性,目前金屬化技術有以下幾點瓶頸需克服:1. PI表面的銅導線必須無粗糙度,為符合此標準,傳統銅箔壓合(黏合)製程已不符需求;2. PI表面銅線厚度將低於6微米,然而傳統銅箔製程已無法勝任此項需求;3. 由於乾式製程設備昂貴且操作困難,濕式製程則有附著力問題必須突破,故PI表面銅線必須由增層製程且能以roll-to-roll的方式進行。基於上述需求,充分凸顯後續製程研發之重要性,故本計畫技術發展初略規劃下列子項目:1. 發展低介電常數、耐彎曲之聚亞醯胺(PI)樹脂,符合高頻、可穿戴之需求;2. 發展透明PI,符合透明工件部分的電路或觸控需求;3. 發展PI加層製程技術,取代目前PI電路板之膠合、粗糙銅箔黏合(壓合)製程技術;4.發展PI表面濕製程金屬化技術,降低乾式製程(電漿、濺鍍)機台的高成本;5. 發展多層PI金屬化製程技術,符合多功、高頻組裝之需求。本計畫內容則可分為三大部分進行,(一)低介電聚醯亞胺(PI)合成;(二)表面金屬化技術開發;(三)焊料界面研究,其概念及各共同主持人分配圖如下所示: